当前，新一轮科技革命和产业变革正在重构全球创新版图，世界各国围绕科技创新抢占未来发展制高点的竞争日趋激烈。国外技术封锁不断升级，而半导体技术首当其冲。习近平总书记在中国科学院第十九次院士大会、中国工程院第十四次院士大会上指出“关键核心技术是要不来、买不来、讨不来的”。过去60余年，CMOS工艺一直遵循摩尔定律指引的步伐不断演进。目前，最先进的CMOS晶体管特征尺寸已经下降到5 nm，业界仍然持续推进向3 nm、2 nm演进。然而，当前集成电路发展已悄然进入“后摩尔时代”。在人工智能、5G、物联网等应用需求爆发的背景下，先进的集成电路和光电芯片是继续推进高性能计算芯片的保障。近年来，国际国内涌现出诸多创新的工艺、器件及芯片技术，如3D垂直集成技术、异质集成、异质异构集成、三维堆叠集成、宽禁带与超宽禁带半导体材料器件和芯片、光子芯片、硅光芯片、混合光电子芯片、碳基芯片、柔性光电子/微电子芯片、微波光子芯片、量子计算芯片、类脑芯片等。为了把握新一轮科技革命和产业变革的突破口，明确我国在集成电路与光电芯片领域创新能力短板，关注基础研究中可能产生重大突破的领域，前瞻布局基础研究资助方向，中国科学院信息技术学部组织召开了“集成电路与光电芯片发展战略研究（2021～2035）”科学与技术前沿论坛。论坛围绕“集成电路与光电芯片”这一主题，17位专家学者作了学术报告，从不同的角度对主题进行了深入的阐述，引起了与会专家学者们浓厚的兴趣。会后由论坛主席郝跃院士牵头，联合24个单位、37位专家组织撰写了综述文章“Recent progress of integrated circuits and optoelectronic chips”，发表于SCIENCE CHINA Information Sciences，敬请关注！【点击文后“阅读原文”可免费获取全文】
A roadmap for IC development in the post Moore’s era
Two-terminal NVM devices
AI theory and chips
The development timeline of CNT FET and CMOS ICs
Development of GaN based devices in high-power and high-frequency areas
Research trends of major research groups insemiconductor quantum computing
Timeline of advances in photonics neuromorphic
原文信息
Hao Y, Xiang S Y, Han G Q, et al. Recent progress of integrated circuits and optoelectronic chips. Sci China Inf Sci, 2021, 64(10): 201401, https://doi.org/10.1007/s11432-021-3235-7